由于構(gòu)造較為簡(jiǎn)單僅需一個(gè)觸發(fā)電路就能進(jìn)行工作，雙向可控硅能夠作為較為理想的交流開(kāi)關(guān)器件來(lái)使用，應(yīng)用范圍在近幾年來(lái)有逐漸增大的趨勢(shì)。本文將對(duì)確保閘流管和雙向可控硅順利**工作的十個(gè)條件進(jìn)行介紹，幫助大家完善設(shè)計(jì)。

準(zhǔn)則1

為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門(mén)極電流≧IGT，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL。這條件必須滿足，并按可能遇到的*低溫度考慮。

準(zhǔn)則2

要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的*高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。

準(zhǔn)則3

設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限（WT2-，+）。

準(zhǔn)則4

為減少雜波吸收，門(mén)極連線長(zhǎng)度降至*低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門(mén)極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

規(guī)則5

若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。

準(zhǔn)則6

假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：

負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

準(zhǔn)則7

選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以*大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

準(zhǔn)則8

若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上*好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。

準(zhǔn)則9

器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

準(zhǔn)則10

為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應(yīng)于可能的*高環(huán)境溫度。

本文羅列出了十條對(duì)于閘流管和雙向可控硅工作非常有益的建議。大家在使用閘流管或者雙向可控硅之前可以不妨花上幾分鐘來(lái)閱讀本文，相信會(huì)有意想不到的收獲，從而幫助大家全方位的了解雙向可控硅并節(jié)約設(shè)計(jì)成本。