IGBT使用注意事項(xiàng)：

使用中IGBT的注意事項(xiàng)

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。
由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿
是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：

　　在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子
時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸； 在用導(dǎo)
電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊； 盡量在
底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超
過柵極*大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合
，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動(dòng)信
號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

　　此外，在柵極—發(fā)射極間開路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨
著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有
電流流過。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及
至損壞。

　　在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開路
狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵
極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

　　在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)
和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，*好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。
一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱**時(shí)將導(dǎo)
致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散
熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止
IGBT模塊工作。

保管時(shí)的注意事項(xiàng)

一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)
定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用
加濕機(jī)加濕; 盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合； 在溫度發(fā)生急劇
變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變
化較小的地方； 保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； 裝IGBT模塊
的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。

　　IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性，使它得到了快速的發(fā)展和普及，已
應(yīng)用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能，了解選擇及使用時(shí)的
注意事項(xiàng)對(duì)實(shí)際中的應(yīng)用是十分必要的。

在中大功率的開關(guān)電源裝置中,IGBT由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率較高
、容量較大的特點(diǎn),已逐步取代晶閘管或GTO。但是在開關(guān)電源裝置中,由于它
工作在高頻與高電壓、大電流的條件下,使得它容易損壞,另外,電源作為系統(tǒng)
的前級(jí),由于受電網(wǎng)波動(dòng)、雷擊等原因的影響使得它所承受的應(yīng)力更大,故IGB
T的可靠性直接關(guān)系到電源的可靠性。因而,在選擇IGBT時(shí)除了要作降額考慮外
,對(duì)IGBT的保護(hù)設(shè)計(jì)也是電源設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)考慮的一個(gè)環(huán)節(jié)。